LN E-O Q-Schalter

  • Großer nichtlinearer optischer Koeffizient

  • Großer Empfangswinkel

  • Kleiner Walk-Off-Winkel

  • Große Temperatur- und Spektralbandbreite

  • Hoher photoelektrischer Koeffizient und niedrige Dielektrizitätskonstante

  • Nicht absorbierende, stabile chemische und mechanische Eigenschaften

  • Pockels-Zellen mit geringstem Verlust und intern entwickelten LN (LiNbO 3 )-Kristallen von höchster Qualität

  • Hochwertige Oberflächenpolitur und -beschichtung

  • MgO-dotiertes LN und PPLN ist verfügbar

  • Lange und bewährte Lebensdauer, 2 Jahre Garantie

  • 20 Jahre Erfahrung in der Bedienung anspruchsvollster Laseranwendungen

  • KDP, KD*P, KTP, RTP, BBO und LN werden von WISOPTIC im eigenen Haus gezüchtet

  • Gekauft und vertraut von Dutzenden von Laserunternehmen weltweit


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Produktdetails

LiNbO 3  (Lithiumniobat, LN)-Kristall ist ein multifunktionales Material, das Eigenschaften von piezoelektrischen, ferroelektrischen, pyroelektrischen, nichtlinearen, elektrooptischen, photoelastischen usw. integriert. LiNbO 3 hat eine gute thermische Stabilität und chemische Stabilität.

Unter den EO-Kristallen sind LN und DKDP die zwei primären Materialien, die sich als praktisch erwiesen haben. DKDP-Kristalle können leicht mit einer hohen optischen Homogenität gezüchtet werden, was die Anforderungen einer großkalibrigen Pockels-Zelle erfüllen kann. DKDP ist jedoch wasserlöslich und muss sorgfältig vor Feuchtigkeit geschützt werden, was seine Herstellung und Anwendung erschwert. Darüber hinaus deaktiviert die Brechungsindex-Anpassungsflüssigkeit die DKDP-Pockels-Zelle bei niedriger Temperatur. Eine bekannte Anforderung an Pockels-Zellen ist jedoch der Betrieb in einem breiten Temperaturbereich, insbesondere für militärische Anwendungen. Glücklicherweise sind LN-Kristalle nicht hygroskopisch und besitzen einen niedrigen Absorptionskoeffizienten und Einfügungsverlust. Darüber hinaus können sie in einem breiten Temperaturbereich stabil arbeiten, was LN-Kristalle zum wichtigsten EO-Kristall macht, der in militärischen Anwendungen eingesetzt wird.

Elektrooptische LN-Güteschalter werden häufig in Er:YAG-, Ho:YAG- und Tm:YAG-Lasern verwendet und eignen sich für gütegeschaltete Ausgänge mit geringer Leistung, insbesondere bei der Laserentfernung. Wir bieten unseren Kunden die kompaktesten Q-Switches.

LN-Pockels-Zellen können sehr kompakt sein und die Halbwellenspannung kann sehr niedrig sein. Durch die Dotierung von MgO in LiNbO 3 kann die Zerstörschwelle von LN-Pockels-Zellen drastisch erhöht werden.


LN E-O Q-Switch.jpg


Maße

(2×2~9×9)×25 mm

Maßtoleranz

± 0,1mm

Winkeltoleranz

± 0,5°

Ebenheit

< λ/8 bei 632,8 nm

Oberflächenqualität

< 20/10 [S/T]

Parallelität

< 20"

Rechtwinkligkeit

≤ 5'

Fase

≤ 0,2 mm bei 45°

Übertragene Wellenfrontverzerrung

< λ/4 bei 632,8 nm

Kapazität

20 pF

Elektroden

Gold

l/4 Spannung

~1,5 kV (@ 1064 nm)

Dynamisches Extinktionsverhältnis

20 dB (@ 1064nm)

Klare Blende

8,5 mm (> 90 % zentraler Bereich)

Glasur

AR-Beschichtung: R < 0,2 %   @ 1064   Nanometer , R < 0,5 %   @ 532   nm

Laser-Schadensschwelle

LN

100 MW/cm²   @ 10ns, 10Hz, 1064nm

MgO : LN

150 MW/cm²   @ 10ns, 10Hz, 1064nm


LN E-O Q-Switch.jpg

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