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KTP E-O Q-Schalter
• Nicht hygroskopisch
• Hervorragende optische Einheitlichkeit
• Große optische Bandbreite von 500-2800nm
• Geringe Absorptionsverluste bei 1064 nm Wellenlänge (<250 ppm/cm bei 1064 nm)
•Hohes Extinktionsverhältnis (>25 dB bei 633 nm)
• Niedrige Halbwellenspannung für elektrooptische Anwendungen
• Kompatibel mit minimalem piezoelektrischem Klingeln für 1 MHz
• Anstiegszeit unter 1 ns für präzises Schalten bei Lasern mit hoher Wiederholungsrate
• Hohe laserinduzierte Schadensschwelle (> 600 MW/cm 2 bei 10 Hz, 10 ns bei 1064 nm)
• Hoher spezifischer Widerstand und thermisch kompensiertes Design für den Betrieb in einem großen Temperaturbereich (-50 ℃ bis +70 ℃)
HGTR (High Gray Track Resistance) KTP-Kristall, der durch ein hydrothermales Verfahren entwickelt wurde, überwindet das übliche Phänomen der Elektrochromie des flussgezüchteten KTP und hat daher viele Vorteile wie einen hohen elektrischen Widerstand, eine geringe Einfügungsdämpfung, eine niedrige Halbwellenspannung und eine hohe Laserschadensschwelle , und breites Übertragungsband. HGTR-KTP hat viele elektrooptische Anwendungen wie Güteschaltung für Laser mit hoher Wiederholungsrate.
HGTR-KTP-Kristalle für EO-Anwendungen
Niedrige Einfügungsdämpfung, niedrige Viertelwellenspannung
Hohe Wiederholungsrate
Große optische Bandbreite
Hohe Schadensschwelle
Kein piezoelektrisches Klingeln
Anwendung: Güteschalter, Pulse Picking und EO-Modulator
Größen von einem der Paare von KTP (mm) |
X-Schnitt |
Y-Schnitt |
Elektrischer widerstand (Ohm · cm) |
||
HWV bei 1064nm (V) |
Extinktionsverhältnis @ 633nm (dB) |
HWV bei 1064nm (V) |
Extinktionsverhältnis @ 633nm (dB) |
||
3 × 3 × 10 |
1200 |
> 25 |
1000 |
> 20 |
> 10 11 |
4 × 4 × 10 |
1600 |
> 25 |
1300 |
> 20 |
> 10 11 |
5 × 5 × 10 |
2000 |
> 25 |
1600 |
> 20 |
> 10 11 |
6 × 6 × 10 |
2300 |
> 25 |
1900 |
> 20 |
> 10 11 |
7 × 7 × 10 |
2700 |
> 25 |
2200 |
> 20 |
> 10 11 |
8 × 8 × 10 |
3100 |
> 25 |
2500 |
> 20 |
> 10 11 |
9 × 9 × 10 |
3500 |
> 25 |
2800 |
> 20 |
> 10 11 |
Schadensschwelle: > 600 MG /cm 2 für 10 ns Pulse @ 1064 nm (AR-Beschichtung) |
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