Einzelblock-Pulse-on-LiNbO3-EO-Güteschalter

  • Großer nichtlinearer optischer Koeffizient

  • Großer Empfangswinkel

  • Kleiner Walk-Off-Winkel

  • Große Temperatur- und Spektralbandbreite

  • Hoher photoelektrischer Koeffizient und niedrige Dielektrizitätskonstante

  • Nicht absorbierende, stabile chemische und mechanische Eigenschaften

  • Pockels-Zellen mit geringstem Verlust und intern entwickelten LN (LiNbO 3 )-Kristallen von höchster Qualität

  • Hochwertige Oberflächenpolitur und -beschichtung

  • MgO-dotiertes LN und PPLN ist verfügbar

  • Lange und bewährte Lebensdauer, 2 Jahre Garantie

  • 20 Jahre Erfahrung in der Bedienung anspruchsvollster Laseranwendungen

  • KDP, KD*P, KTP, RTP, BBO und LN werden von WISOPTIC im eigenen Haus gezüchtet

  • Gekauft und vertraut von Dutzenden von Laserunternehmen weltweit


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Produktdetails

LN-Kristalle sind nicht hygroskopisch und haben einen niedrigen Absorptionskoeffizienten und Einfügungsverlust . Außerdem kann LN-Kristall in einem breiten Temperaturbereich stabil arbeiten , was sie zum wichtigsten EO-Kristall macht, der in militärischen Lasersystemen verwendet wird.

Elektrooptische LN-Güteschalter werden häufig in Er:YAG-, Ho:YAG- und Tm:YAG-Lasern verwendet und eignen sich für gütegeschaltete Ausgänge mit geringer Leistung, insbesondere bei der Laserentfernung. LN-Pockels -Zellen können sehr kompakt sein, und die Halbwellenspannung kann sehr niedrig sein. Durch Dotierung von MgO in LiNbO 3 , die Schadensschwelle von LN Pockels Zellen kann drastisch erhöht werden. Wir bieten unseren Kunden die kompaktesten Q-Switches.


Maße

(2×2~9×9)×25 mm

Maßtoleranz

± 0,1mm

Winkeltoleranz

± 0,5°

Ebenheit

< λ/8 bei 632,8 nm

Oberflächenqualität

< 20/10 [S/T]

Parallelität

< 20"

Rechtwinkligkeit

≤ 5'

Fase

≤ 0,2 mm bei 45°

Übertragene Wellenfrontverzerrung

< λ/4 bei 632,8 nm

Kapazität

20 pF

Elektroden

Gold

l/4 Spannung

~1,5 kV (@ 1064 nm)

Dynamisches Extinktionsverhältnis

20 dB (@ 1064nm)

Klare Blende

8,5 mm (> 90 % zentraler Bereich)

Glasur

AR-Beschichtung: R < 0,2 %   @ 1064   Nanometer , R < 0,5 %   @ 532   nm

Laser-Schadensschwelle

LN

100 MW/cm²   @ 10ns, 10Hz, 1064nm

MgO : LN

150 MW/cm²   @ 10ns, 10Hz, 1064nm


Single-block Pulse-on  LiNbO3 EO Q-switch.jpg

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