Einzelblock-Pulse-on-LiNbO3-EO-Güteschalter
Großer nichtlinearer optischer Koeffizient
Großer Empfangswinkel
Kleiner Walk-Off-Winkel
Große Temperatur- und Spektralbandbreite
Hoher photoelektrischer Koeffizient und niedrige Dielektrizitätskonstante
Nicht absorbierende, stabile chemische und mechanische Eigenschaften
Pockels-Zellen mit geringstem Verlust und intern entwickelten LN (LiNbO 3 )-Kristallen von höchster Qualität
Hochwertige Oberflächenpolitur und -beschichtung
MgO-dotiertes LN und PPLN ist verfügbar
Lange und bewährte Lebensdauer, 2 Jahre Garantie
20 Jahre Erfahrung in der Bedienung anspruchsvollster Laseranwendungen
KDP, KD*P, KTP, RTP, BBO und LN werden von WISOPTIC im eigenen Haus gezüchtet
Gekauft und vertraut von Dutzenden von Laserunternehmen weltweit
LN-Kristalle sind nicht hygroskopisch und haben einen niedrigen Absorptionskoeffizienten und Einfügungsverlust . Außerdem kann LN-Kristall in einem breiten Temperaturbereich stabil arbeiten , was sie zum wichtigsten EO-Kristall macht, der in militärischen Lasersystemen verwendet wird.
Elektrooptische LN-Güteschalter werden häufig in Er:YAG-, Ho:YAG- und Tm:YAG-Lasern verwendet und eignen sich für gütegeschaltete Ausgänge mit geringer Leistung, insbesondere bei der Laserentfernung. LN-Pockels -Zellen können sehr kompakt sein, und die Halbwellenspannung kann sehr niedrig sein. Durch Dotierung von MgO in LiNbO 3 , die Schadensschwelle von LN Pockels Zellen kann drastisch erhöht werden. Wir bieten unseren Kunden die kompaktesten Q-Switches.
Maße |
(2×2~9×9)×25 mm |
|
Maßtoleranz |
± 0,1mm |
|
Winkeltoleranz |
± 0,5° |
|
Ebenheit |
< λ/8 bei 632,8 nm |
|
Oberflächenqualität |
< 20/10 [S/T] |
|
Parallelität |
< 20" |
|
Rechtwinkligkeit |
≤ 5' |
|
Fase |
≤ 0,2 mm bei 45° |
|
Übertragene Wellenfrontverzerrung |
< λ/4 bei 632,8 nm |
|
Kapazität |
20 pF |
|
Elektroden |
Gold |
|
l/4 Spannung |
~1,5 kV (@ 1064 nm) |
|
Dynamisches Extinktionsverhältnis |
20 dB (@ 1064nm) |
|
Klare Blende |
8,5 mm (> 90 % zentraler Bereich) |
|
Glasur |
AR-Beschichtung: R < 0,2 % @ 1064 Nanometer , R < 0,5 % @ 532 nm |
|
Laser-Schadensschwelle |
LN |
100 MW/cm² @ 10ns, 10Hz, 1064nm |
MgO : LN |
150 MW/cm² @ 10ns, 10Hz, 1064nm |