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RTP E-O Q-Switch
• Große optische Bandbreite (0,35-4,5μm)
• Geringe Einfügedämpfung
• Niedrige Halbwellenspannung
• Niedrige Betriebsspannung
• Hohe Aussterberate
• Sehr hohe Laserschadensschwelle
• Kein piezoelektrischer Klingeleffekt
• Präzises Schalten in Laser mit hoher Repetitivrate und superschnellen Spannungstreibern
• Thermisch kompensiertes Design für den Betrieb in großem Temperaturbereich
• Kompaktes Design, sehr einfach zu montieren und einzustellen
• Qualitäts-RTP-Quarz mit hoher Umweltbeständigkeit und langer Lebensdauer
RTP (Rubidium Titanyl Phosphate – RbTiOPO 4 ) ist ein robustes Kristallmaterial, das sich für eine Vielzahl von EO-Anwendungen eignet. Es hat die Vorteile einer höheren Schadensschwelle (etwa das 1,8- fache von KTP), eines hohen spezifischen Widerstands, einer hohen Wiederholungsrate und keinen hygroskopischen oder piezoelektrischen Effekt. RTP zeichnet sich durch eine gute optische Transparenz von etwa 400 nm bis über 4 µm aus und bietet, was für den Laserbetrieb innerhalb der Kavität sehr wichtig ist, eine hohe Beständigkeit gegen optische Beschädigung mit einer Belastbarkeit von ~1 GW/cm 2 für 1-ns-Pulse bei 1064 nm.
Die EO-Q-Schalter (Pockels-Zellen) basieren auf zwei RTP-Kristallen in temperaturkompensierender Ausführung
das den Einsatz dieser Geräte in einem weiten Temperaturbereich von -60 °C bis +70 °C ermöglicht.
RTP Pockels-Zellen werden häufig in Laserbereichen, Laser-Lidar, medizinischen Lasern und Industrielasern usw. verwendet.
WISPTIC bietet technische Beratung, optimiertes Design, kundenspezifische Testmuster und schnell lieferbare Standardprodukte von RTP-Pockels-Zellen für Q-Switching und Pulse-Picking mit hoher Wiederholungsrate.
Anwendungen für RTP-EO-Geräte:
Q-Schalter
Phasenmodulator
Amplitudenmodulator
Impulsgeber
Hohlraumdumper
Verschluss
Dämpfungsglied
Deflektor
Kristall Size |
4x4x10 mm |
6x6x10 mm |
8x8x10 mm |
Menge der Kristalle |
2 |
2 |
2 |
Statische Halbwellenspannung @ 1064 nm |
X-Schnitt: 1700 V Y-Schnitt: 1400 V |
X-Schnitt: 2500 V Y-Schnitt: 2100 V |
X-Schnitt: 3300 V Y-Schnitt: 2750 V |
Aussterbeverhältnis |
X-Schnitt: > 25 dB Y-Schnitt: > 23 dB |
X-Schnitt: > 23 dB Y-Schnitt: > 21 dB |
X-Schnitt: > 21 dB Y-Schnitt: > 20 dB |
Kapazität |
5 ~ 6 pF |
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Optische Übertragung |
> 99% |
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Schadensschwelle |
> 600 MW/cm2 für 10 ns Impulse @ 1064 nm (AR-Beschichtung) |
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